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IMBG65R060M2HXTMA1
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMBG65R060M2HXTMA1
Codice Prodotto4640389RL
Anche noto comeIMBG65R060M2H, SP006051147
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMBG65R060M2HXTMA1
Codice Prodotto4640389RL
Anche noto comeIMBG65R060M2H, SP006051147
Datasheet tecnico
Corrente Continua di Drain Id34.9A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.055ohm
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima5.6V
Dissipazione di potenza148W
Temperatura di esercizio max175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Corrente Continua di Drain Id
34.9A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.055ohm
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
148W
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
650V
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5.6V
Temperatura di esercizio max
175°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto