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IMBG65R057M1HXTMA1
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMBG65R057M1HXTMA1
Codice Prodotto3928614RL
Gamma ProdottiCoolSiC M1 Trench Series
Anche noto comeSP005539175, IMBG65R057M1H
Datasheet tecnico
795 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMBG65R057M1HXTMA1
Codice Prodotto3928614RL
Gamma ProdottiCoolSiC M1 Trench Series
Anche noto comeSP005539175, IMBG65R057M1H
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id39A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.057ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.057ohm
Stile di Case del TransistorTO-263
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.5V
Dissipazione di potenza161W
Dissipazione di Potenza Pd161W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiCoolSiC M1 Trench Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.057ohm
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.5V
Dissipazione di Potenza Pd
161W
Gamma di prodotti
CoolSiC M1 Trench Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
39A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.057ohm
Stile di Case del Transistor
TO-263
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
161W
Temperatura di esercizio max
175°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
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4 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001588
Tracciabilità del prodotto