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IMBG40R015M2HXTMA1
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMBG40R015M2HXTMA1
Codice Prodotto4538819RL
Gamma ProdottiCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Anche noto comeIMBG40R015M2H, SP006064660
Datasheet tecnico
965 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMBG40R015M2HXTMA1
Codice Prodotto4538819RL
Gamma ProdottiCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Anche noto comeIMBG40R015M2H, SP006064660
Datasheet tecnico
Corrente Continua di Drain Id111A
Tensione Drain Source Vds400V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0191ohm
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima5.6V
Dissipazione di potenza341W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
IMBG40R015M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 15mohm RDS(on), 111A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
Specifiche tecniche
Corrente Continua di Drain Id
111A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0191ohm
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
341W
Gamma di prodotti
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Tensione Drain Source Vds
400V
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5.6V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto