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IMBG120R030M1HXTMA1
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMBG120R030M1HXTMA1
Codice Prodotto3582461RL
Gamma ProdottiCoolSiC Series
Anche noto comeIMBG120R030M1H, SP004463784
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIMBG120R030M1HXTMA1
Codice Prodotto3582461RL
Gamma ProdottiCoolSiC Series
Anche noto comeIMBG120R030M1H, SP004463784
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id56A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.041ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.03ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima5.7V
Dissipazione di potenza300W
Dissipazione di Potenza Pd300W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiCoolSiC Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
L'IMBG120R030M1HXTMA1 è un SiC Trench MOSFET CoolSiC™ da 1200V con tecnologia di interconnessione .XT. Le applicazioni tipiche includono azionamenti, infrastrutture (caricatori), generazione di energia (inverter di stringa e ottimizzatori fotovoltaici e alimentatori industriali (gruppi di continuità industriali).
- Corrente di drain DC: 56A, resistenza di conduzione drain-source: 30mohm (VGS = 18V, ID = 25A, Tvj = 25°C)
- Bassissime perdite di commutazione
- Tempo di tenuta al cortocircuito: 3µs
- dV/dt completamente controllabile
- Tensione di soglia gate di riferimento, VGS(th) = 4,5V
- Robusto contro l'accensione parassita, tensione di turn-off gate di 0V applicabile
- Body diode robusto per commutazione dura
- Distanza di creepage e clearance del package superiore a 6,1mm
- Pin Sense per prestazioni di commutazione ottimizzate
- Disponibile con package TO-263 a 7 pin
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.03ohm
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5.7V
Dissipazione di Potenza Pd
300W
Gamma di prodotti
CoolSiC Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
56A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.041ohm
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
300W
Temperatura di esercizio max
175°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Prodotti associati
4 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001959
Tracciabilità del prodotto