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IGT65R045D2ATMA1
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIGT65R045D2ATMA1
Codice Prodotto4695747RL
Anche noto comeIGT65R045D2, SP005965880
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIGT65R045D2ATMA1
Codice Prodotto4695747RL
Anche noto comeIGT65R045D2, SP005965880
Datasheet tecnico
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto