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IGT65R025D2XTMA1
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIGT65R025D2XTMA1
Codice Prodotto4640393RL
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id70A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.03ohm
Carica di gate tipica11nC
Numero di pin8Pin
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.03ohm
Numero di pin
8Pin
Corrente Continua di Drain Id
70A
Carica di gate tipica
11nC
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto