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IGLT65R035D2ATMA1
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIGLT65R035D2ATMA1
Codice Prodotto4573849RL
Anche noto comeIGLT65R035D2, SP005918703
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIGLT65R035D2ATMA1
Codice Prodotto4573849RL
Anche noto comeIGLT65R035D2, SP005918703
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id47A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.042ohm
Carica di gate tipica7.7nC
Numero di pin16Pin
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.042ohm
Numero di pin
16Pin
Corrente Continua di Drain Id
47A
Carica di gate tipica
7.7nC
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto