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IGLR70R270D2SXUMA1
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIGLR70R270D2SXUMA1
Codice Prodotto4694675
Gamma ProdottiCoolGaN G5 Series
Anche noto comeIGLR70R270D2S, SP006123216
Datasheet tecnico
4 995 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIGLR70R270D2SXUMA1
Codice Prodotto4694675
Gamma ProdottiCoolGaN G5 Series
Anche noto comeIGLR70R270D2S, SP006123216
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds700V
Corrente Continua di Drain Id7.3A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.33ohm
Carica di gate tipica1nC
Stile di Case del TransistorTSON
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Numero di pin8Pin
Gamma di prodottiCoolGaN G5 Series
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
IGLR70R270D2SXUMA1 is a CoolGaN™ G5 highly efficient gallium nitride (GaN) transistor designed for power conversion at 700V. It enables higher power density, supports reduced system BOM cost, and facilitates miniaturized form factors. Produced using 200mm (8-inch) wafer technology and fully automated production lines, it features narrow production tolerances and the highest product quality. It is ideal for consumer applications like chargers, adapters, TV power, and home appliances.
- Qualified according to JEDEC standard, 2kV HBM ESD standards
- Enhancement mode transistor, ultra‑fast switching, no reverse‑recovery charge
- Capable of reverse conduction, low gate and output charge, superior commutation ruggedness
- Normally OFF transistor technology ensures safe operation
- Enables rapid and precise power delivery control
- Improves system efficiency and reliability
- Ensures robust performance under challenging conditions
- Drain‑source on‑state resistance is 0.270 ohm typ at IG =5.6mA; ID =1.7A; Tj =25°C
- PG‑TSON‑8 package
- Operating junction temperature range from ‑40 to 150°C
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
700V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.33ohm
Stile di Case del Transistor
TSON
Numero di pin
8Pin
Qualificazioni
-
Corrente Continua di Drain Id
7.3A
Carica di gate tipica
1nC
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti
CoolGaN G5 Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto