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IGLD65R080D2AUMA1
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIGLD65R080D2AUMA1
Codice Prodotto4680829RL
Anche noto comeIGLD65R080D2, SP005918713
Datasheet tecnico
2 455 A Stock
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.1ohm
Numero di pin
8Pin
Corrente Continua di Drain Id
18A
Carica di gate tipica
3.3nC
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto