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IDWD10G200C5XKSA1
Diodo Schottky al carburo di silicio, CoolSiC 5G Series, singolo, 2 kV, 35 A, 89 nC, TO-247
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIDWD10G200C5XKSA1
Codice Prodotto4670252
Gamma ProdottiCoolSiC 5G Series
Anche noto comeIDWD10G200C5, SP005855883
Datasheet tecnico
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIDWD10G200C5XKSA1
Codice Prodotto4670252
Gamma ProdottiCoolSiC 5G Series
Anche noto comeIDWD10G200C5, SP005855883
Datasheet tecnico
Gamma di prodottiCoolSiC 5G Series
Configurazione Diodosingolo
Tensione inversa di picco ripetitiva2kV
Corrente diretta media35A
Carica Qc capacitiva totale89nC
Tipo di Case del DiodoTO-247
Numero di Pin2 Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio del diodoforo passante (THT)
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Gamma di prodotti
CoolSiC 5G Series
Tensione inversa di picco ripetitiva
2kV
Carica Qc capacitiva totale
89nC
Numero di Pin
2 Pin
Montaggio del diodo
foro passante (THT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Configurazione Diodo
singolo
Corrente diretta media
35A
Tipo di Case del Diodo
TO-247
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Austria
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Austria
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto