IDH20G120C5XKSA1

Diodo Schottky SiC thinQ!™ di 5° generazione da 1200V adatto per l'uso in inverter solari, gruppi di continuità, convertitori di frequenza dei motori e correzione di fattore di potenza. Il vantaggio di usare il diodo Schottky è il miglioramento dell'efficienza del sistema rispetto ai diodi al silicio, che permette soluzioni con densità di potenza maggiore/frequenza più alta, risparmi di costo/misura del sistema grazie ai requisiti di dissipazione ridotti e agli elementi magnetici più piccoli, EMI ridotte, altissima efficienza sull'intero range di carico, funzionamento robusto durante gli eventi di sovratensione e alta affidabilità.

• Materiale del semiconduttore rivoluzionario: carburo di silicio
• Zero corrente di recupero inversa / niente recupero diretto
• Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
• Bassa tensione diretta anche ad alte temperature di esercizio
• Distribuzione stretta della tensione diretta
• Prestazioni termiche eccellenti
• Capacità di corrente di sovratensione estesa
• Rapporto di variazione dv/dt specificato
• Qualificato in conformità a JEDEC per applicazioni target

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