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IDH02G65C5XKSA2
Diodo Schottky al carburo di silicio, thinQ Gen V Series, singolo, 650 V, 2 A, 4 nC, TO-220
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIDH02G65C5XKSA2
Codice Prodotto3625439
Gamma ProdottithinQ Gen V Series
Anche noto comeIDH02G65C5, SP001632418
Datasheet tecnico
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIDH02G65C5XKSA2
Codice Prodotto3625439
Gamma ProdottithinQ Gen V Series
Anche noto comeIDH02G65C5, SP001632418
Datasheet tecnico
Gamma di prodottithinQ Gen V Series
Configurazione Diodosingolo
Tensione inversa di picco ripetitiva650V
Corrente diretta media2A
Carica Qc capacitiva totale4nC
Tipo di Case del DiodoTO-220
Numero di Pin2 Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio del diodoforo passante (THT)
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternative per IDH02G65C5XKSA2
1 prodotto trovato
Specifiche tecniche
Gamma di prodotti
thinQ Gen V Series
Tensione inversa di picco ripetitiva
650V
Carica Qc capacitiva totale
4nC
Numero di Pin
2 Pin
Montaggio del diodo
foro passante (THT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Configurazione Diodo
singolo
Corrente diretta media
2A
Tipo di Case del Diodo
TO-220
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002268