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GS66516BMRXUSA1
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreGS66516BMRXUSA1
Codice Prodotto4715923
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id60A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.032ohm
Carica di gate tipica14.2nC
Stile di Case del TransistorGaNPX
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Numero di pin6Pin
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.032ohm
Stile di Case del Transistor
GaNPX
Numero di pin
6Pin
Qualificazioni
-
Corrente Continua di Drain Id
60A
Carica di gate tipica
14.2nC
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto