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GS0650306LRMRXUSA1
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN
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Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
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Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
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Peso (kg):.000001
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