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FS33MR12W1M1HB70BPSA1
MOSFET al carburo di silicio, SixPack, canale N, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, modulo
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreFS33MR12W1M1HB70BPSA1
Codice Prodotto4351790
Gamma ProdottiEasyPACK Series
Anche noto comeFS33MR12W1M1H_B70, SP005634675
Datasheet tecnico
32 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreFS33MR12W1M1HB70BPSA1
Codice Prodotto4351790
Gamma ProdottiEasyPACK Series
Anche noto comeFS33MR12W1M1H_B70, SP005634675
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETSixPack
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id25A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0323ohm
Stile di Case del Transistormodulo
Numero di pin23Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima5.15V
Dissipazione di potenza20mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiEasyPACK Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
FS33MR12W1M1HB70BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC. Potential applications include high-frequency switching applications, DC/DC converters, motor drives, and UPS systems.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Low inductive design, low switching losses
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps, PressFIT contact technology
- Integrated NTC temperature sensor, AlN substrate with low thermal resistance
- Drain-source leakage current is 0.015µA typ at VDS = 1200V, VGS = -3V, Tvj = 25°C
- Drain-source voltage is 1200V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 25A at TH = 120°C, Tvj = 175°C, VGS = 18V
- Repetitive peak drain current is 50A (verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Storage temperature range from -40 to 125°C
- Drain-source on-resistance is 32.3mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 25A
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
SixPack
Corrente Continua di Drain Id
25A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0323ohm
Numero di pin
23Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5.15V
Temperatura di esercizio max
150°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
modulo
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
20mW
Gamma di prodotti
EasyPACK Series
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85044095
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.1
Tracciabilità del prodotto