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FP50R12KE3BOSA1
Array IGBT e transistore modulare, canale N, 75A, 1.7V, 280 W, 1.2 kV, modulo
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreFP50R12KE3BOSA1
Codice Prodotto2726169
Gamma ProdottiEconoPIM 3
Anche noto comeFP50R12KE3, SP000101740
Datasheet tecnico
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 122,180 |
| 5+ | € 112,190 |
| 10+ | € 102,190 |
| 50+ | € 100,150 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreFP50R12KE3BOSA1
Codice Prodotto2726169
Gamma ProdottiEconoPIM 3
Anche noto comeFP50R12KE3, SP000101740
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTraddrizzatore di ingresso trifase PIM
Polarità TransistorCanale N
Corrente di Collettore CC75A
Corrente di Collettore continua75A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.7V
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)1.7V
Dissipazione di potenza280W
Dissipazione di Potenza Pd280W
Temperatura di Giunzione Tj Max125°C
Temperatura di esercizio max125°C
Stile di Case del Transistormodulo
Terminazione IGBTmontaggio a pressione
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo1.2kV
Massima tensione Collettore-Emettitore1.2kV
Tecnologia Transistore IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montaggio Transistorea pannello
Gamma di prodottiEconoPIM 3
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
1200V, 50A PIM three phase input rectifier IGBT module with low sat & fast TRENCHSTOP™ IGBT3 and NTC.
- Low stray inductance module design
- High reliability and power density
- Copper base plate for optimized heat spread
- Solderable pins
- Low switching losses
- High switching frequency
- Compact module concept
- Optimized customer’s development cycle time and cost
- Configuration flexibility
- Fast, reliable and low cost mounting concept
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
raddrizzatore di ingresso trifase PIM
Corrente di Collettore CC
75A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.7V
Dissipazione di potenza
280W
Temperatura di Giunzione Tj Max
125°C
Stile di Case del Transistor
modulo
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
1.2kV
Tecnologia Transistore IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Gamma di prodotti
EconoPIM 3
Polarità Transistor
Canale N
Corrente di Collettore continua
75A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
1.7V
Dissipazione di Potenza Pd
280W
Temperatura di esercizio max
125°C
Terminazione IGBT
montaggio a pressione
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.2kV
Montaggio Transistore
a pannello
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Hungary
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Hungary
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.004536