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FP40R12KE3BOSA1
Modulo IGBT, raddrizzatore di ingresso trifase PIM, 55 A, 2.3 V, 200 W, 125 °C, EconoPIM
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreFP40R12KE3BOSA1
Codice Prodotto1496944
Gamma ProdottiEconoPIM 2
Anche noto comeFP40R12KE3, SP000083565
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreFP40R12KE3BOSA1
Codice Prodotto1496944
Gamma ProdottiEconoPIM 2
Anche noto comeFP40R12KE3, SP000083565
Polarità TransistorCanale N
Configurazione Transistore IGBTraddrizzatore di ingresso trifase PIM
Corrente di Collettore CC55A
Corrente di Collettore continua55A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore2.3V
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)2.3V
Dissipazione di potenza200W
Dissipazione di Potenza Pd200W
Temperatura di Giunzione Tj Max125°C
Temperatura di esercizio max125°C
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo1.2kV
Stile di Case del TransistorEconoPIM
Terminazione IGBTmontaggio a pressione
Numero di pin24Pin
Massima tensione Collettore-Emettitore1.2kV
Tecnologia Transistore IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montaggio Transistorea pannello
Gamma di prodottiEconoPIM 2
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Alternative per FP40R12KE3BOSA1
1 prodotto trovato
Panoramica del prodotto
The FP40R12KE3 is a 3-phase 1200V PIM IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT3 emitter controlled diode and NTC. It features low stray inductance module design and copper base plate for optimized heat spread as well as solderable pins.
- High reliability and power density
- Low switching losses
- High switching frequency
- Configuration flexibility
- Compact module concept
Applicazioni
gestione potenza elettrica, ambito medicale
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
Canale N
Corrente di Collettore CC
55A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
2.3V
Dissipazione di potenza
200W
Temperatura di Giunzione Tj Max
125°C
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
1.2kV
Terminazione IGBT
montaggio a pressione
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.2kV
Montaggio Transistore
a pannello
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Configurazione Transistore IGBT
raddrizzatore di ingresso trifase PIM
Corrente di Collettore continua
55A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
2.3V
Dissipazione di Potenza Pd
200W
Temperatura di esercizio max
125°C
Stile di Case del Transistor
EconoPIM
Numero di pin
24Pin
Tecnologia Transistore IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Gamma di prodotti
EconoPIM 2
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.18
Tracciabilità del prodotto