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Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
L'FM25V10-GTR è una FeRAM seriale (SPI) da 1 Mbit in un package SOIC a 8 pin. Si tratta di una memoria non volatile da 1 Mbit che utilizza un materiale ferroelettrico avanzato. La FeRAM è non volatile ed effettua letture e scritture in modo simile a una RAM. Offre una memorizzazione dati di 151 anni ed elimina le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati dalle flash seriali, EEPROM e da altre memorie non volatili. A differenza delle EEPROM e delle Flash seriali, l'FM25V10 effettua le operazioni di scrittura alla velocità del bus. Niente più ritardi di scrittura. I dati sono scritti immediatamente nell'array di memoria non appena i byte sono trasferiti con successo nel dispositivo. Il ciclo di bus successivo può cominciare senza bisogno di polling dei dati. In aggiunta, il prodotto offre una durata di scrittura sostanziale rispetto ad altre memorie non volatili. L'FM25V10 è in grado di supportare 10^14 cicli di lettura/scrittura o una quantità di cicli di scrittura di 100 milioni di volte superiore rispetto alla EEPROM.
- Memoria FeRAM a 1Mbit logicamente organizzata in 128K × 8
- Interfaccia SPI rapida
- Sostituto hardware diretto di EEPROM e Flash seriale
- Basso consumo energetico con 300µA di corrente attiva a 1MHz, 90µA di corrente in standby (tipica)
- Funzionamento a bassa tensione, VDD = 2,7V-3,6V
- Intervallo di temperatura industriale: da -40°C a +85°C
Specifiche tecniche
1Mbit
SPI
2V
SOIC
montaggio superficiale
85°C
MSL 3 - 168 ore
128K x 8bit
40MHz
3.6V
8Pin
-40°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Alternative per FM25V10-GTR
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto