FM25V05-G

L'FM25V05-G è una memoria FeRAM seriale (SPI) di 512 Kbit (64K × 8). Si tratta di una memoria non volatile da 512 Kbit che utilizza un materiale ferroelettrico avanzato. La memoria RAM ferroelettrica o FeRAM è non volatile ed effettua letture e scritture in modo simile alla RAM. Offre una memorizzazione dati di 151 anni ed elimina le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati dalle flash seriali, EEPROM e da altre memorie non volatili. L'FM25V05 è in grado di supportare 10^14 cicli di lettura/scrittura o una quantità di cicli di scrittura di 100 milioni di volte superiore rispetto alla EEPROM. Queste capacità rendono l'FM25V05 ideale per le applicazioni di memoria non volatile che richiedono scritture rapide o frequenti. Alcuni esempi possono essere la raccolta dei dati, dove il numero di cicli di scrittura può essere essenziale, o i controlli industriali complessi, dove i lunghi tempi di scrittura della EEPROM possono causare perdite di dati. L'QFM25V05 offre benefici sostanziali per gli utenti che usano Flash o EEPROM seriale come sostituto hardware pronto all'uso.

• Scritture con No Delay™, materiale ferroelettrico avanzato di alta affidabilità
• Interfaccia SPI molto rapida, frequenza fino a 40MHz
• Sostituto hardware diretto di EEPROM e Flash seriale
• Supporta SPI modalità SPI 0 (0, 0) e modalità 3 (1, 1)
• Protezione sofisticata della scrittura, protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP attivo basso)
• Protezione software con l'istruzione Write Disable, protezione blocco software per 1/4, 1/2 o intero array
• Tensione di esercizio: VDD= 2V-3,6V
• Corrente di alimentazione VDD: 0,3mA a fSCK=1 MHz
• Corrente in standby VDD: 90µA tipica a CS attivo basso=VDD, tutti gli altri ingressi VSS o VDD
• Package SOIC a 8 pin, intervallo di temperatura industriale: da -40°C a +85°C