FM25CL64B-DG

L'FM25CL64B-D è una memoria non volatile da 64Kbit basata su materiale ferroelettrico avanzato in un package DFN-EP a 8 pin. La FeRAM è non volatile ed effettua letture e scritture in modo simile a una RAM. Offre una conservazione affidabile dei dati per 151 anni ed elimina le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati dalle flash seriali, da EEPROM e da altre memorie non volatili. A differenza delle EEPROM e delle Flash seriali, l'FM25CL64B effettua le operazioni di scrittura alla velocità del bus. Niente più ritardi di scrittura. I dati sono scritti immediatamente nell'array di memoria non appena i byte sono trasferiti con successo nel dispositivo. Il ciclo di bus successivo può cominciare senza bisogno di polling dei dati. In aggiunta, il prodotto offre una durata di scrittura sostanziale rispetto ad altre memorie non volatili. L'FM25CL64B è in grado di supportare 10^14 cicli di lettura/scrittura o una quantità di cicli di scrittura di 100 milioni di volte superiore rispetto alla EEPROM. Queste capacità rendono FM25CL64B ideale per le applicazioni di memoria non volatile che richiedono scritture rapide o frequenti.

• Memoria FeRAM a 64Kbit logicamente organizzata in 8 K × 8
• Materiale ferroelettrico avanzato di alta affidabilità
• Interfaccia SPI rapida
• Basso consumo energetico con 200µA di corrente attiva a 1MHz, 3µA di corrente in standby (tipica)
• Funzionamento a bassa tensione, VDD = 2,7V-3,65V
• Intervallo di temperatura industriale: da -40°C a +85°C