FM25040B-G

L'FM25040B-G è una memoria FeRAM seriale (SPI) da 4 Kbit (512 × 8). Si tratta di una memoria non volatile da 4 Kbit che utilizza un materiale ferroelettrico avanzato. Una memoria RAM ferroelettrica o FeRAM è non volatile ed effettua letture e scritture in modo simile a una RAM. Offre una conservazione affidabile dei dati per 151 anni ed elimina le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati dalle flash seriali, da EEPROM e da altre memorie non volatili. L'FM25040B è in grado di supportare 10^14 cicli di lettura/scrittura o una quantità di cicli di scrittura di 100 milioni di volte superiore rispetto alla EEPROM. Tutte queste capacità rendono l'FM25040B ideale per le applicazioni di memoria non volatile che richiedono scritture rapide o frequenti. Alcuni esempi possono essere la raccolta dei dati, dove il numero di cicli di scrittura può essere essenziale, o i controlli industriali complessi, dove i lunghi tempi di scrittura della EEPROM possono causare perdite di dati. Questa memoria offre benefici sostanziali per gli utenti che usano Flash o EEPROM seriale come sostituto hardware pronto all'uso.

• Scritture con No Delay™, materiale ferroelettrico avanzato di alta affidabilità
• Interfaccia SPI molto rapida, frequenza fino a 20MHz
• Sostituto hardware diretto di EEPROM e Flash seriale
• Supporta SPI modalità SPI 0 (0, 0) e modalità 3 (1, 1)
• Protezione sofisticata della scrittura, protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP attivo basso)
• Protezione software con l'istruzione Write Disable, protezione blocco software per 1/4, 1/2 o intero array
• Tensione di esercizio: VDD= 4,5V-5,5V
• Corrente di alimentazione VDD: 0,25mA a fSCK=1 MHz
• Corrente in standby VDD: 4µA tipica a CS attivo basso=VDD, tutti gli altri ingressi VSS o VDD
• Package SOIC a 8 pin, intervallo di temperatura industriale: da -40°C a +85°C