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FF8MR12W2M1B11BOMA1
MOSFET al carburo di silicio, mezzo ponte, doppio canale N, 150 A, 1.2 kV, 0.0075 ohm, Module
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreFF8MR12W2M1B11BOMA1
Codice Prodotto3267809
Gamma ProdottiEasyDUAL
Anche noto comeFF8MR12W2M1_B11, SP001617622
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETmezzo ponte
Tipo di canaledoppio canale N
Corrente Continua di Drain Id150A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0075ohm
Stile di Case del TransistorModule
Numero di pin-
Tensione di test di Rds(on)15V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.5V
Dissipazione di potenza-
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiEasyDUAL
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
mezzo ponte
Corrente Continua di Drain Id
150A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0075ohm
Numero di pin
-
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.5V
Temperatura di esercizio max
150°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Tipo di canale
doppio canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
Module
Tensione di test di Rds(on)
15V
Dissipazione di potenza
-
Gamma di prodotti
EasyDUAL
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.01