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FF400R12KE3HOSA1
Modulo IGBT, doppio (mezzo ponte), 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, modulo
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreFF400R12KE3HOSA1
Codice Prodotto2726138
Gamma Prodotti62mm C
Anche noto comeFF400R12KE3, SP000100781
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTdoppio (mezzo ponte)
Polarità TransistorCanale N
Corrente di Collettore CC580A
Corrente di Collettore continua580A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.7V
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)1.7V
Dissipazione di Potenza Pd2kW
Dissipazione di potenza2kW
Temperatura di esercizio max125°C
Temperatura di Giunzione Tj Max125°C
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo1.2kV
Stile di Case del Transistormodulo
Terminazione IGBTTab
Massima tensione Collettore-Emettitore1.2kV
Tecnologia Transistore IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montaggio Transistorea pannello
Gamma di prodotti62mm C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
FF400R12KE3HOSA1 is a 62mm 1200V, 400A dual IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT3 and emitter controlled high-efficiency diode.
- Superior solution for frequency controlled inverter drives
- UL/CSA certification with UL1557 E83336
- Operating temperature up to 125°C (max 150°C)
- Optimized switching characteristic like softness and reduced switching losses
- Existing packages with higher current capability
- Flexibility and highest reliability
- Optimal electrical performance
- 1200V collector-emitter voltage at Tvj = 25°C
- 580A continuous DC collector current at TC = 25°C, Tvj max = 150°C
- 2000W total power dissipation at TC = 25°C, Tvj max = 150
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
doppio (mezzo ponte)
Corrente di Collettore CC
580A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.7V
Dissipazione di Potenza Pd
2kW
Temperatura di esercizio max
125°C
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
1.2kV
Terminazione IGBT
Tab
Tecnologia Transistore IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Gamma di prodotti
62mm C
Polarità Transistor
Canale N
Corrente di Collettore continua
580A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
1.7V
Dissipazione di potenza
2kW
Temperatura di Giunzione Tj Max
125°C
Stile di Case del Transistor
modulo
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.2kV
Montaggio Transistore
a pannello
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Alternative per FF400R12KE3HOSA1
2 prodotti trovati
Prodotti associati
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000337
Tracciabilità del prodotto