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FF300R07KE4HOSA1
Modulo IGBT, doppio, 365 A, 1.55 V, 940 W, 150 °C, modulo
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreFF300R07KE4HOSA1
Codice Prodotto2377252
Anche noto comeFF300R07KE4, SP000849136
Datasheet tecnico
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreFF300R07KE4HOSA1
Codice Prodotto2377252
Anche noto comeFF300R07KE4, SP000849136
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTdoppio
Polarità TransistorNPN Doppio
Corrente di Collettore CC365A
Corrente di Collettore continua365A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)1.55V
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.55V
Dissipazione di Potenza Pd940W
Dissipazione di potenza940W
Temperatura di esercizio max150°C
Temperatura di Giunzione Tj Max150°C
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo650V
Stile di Case del Transistormodulo
Terminazione IGBTmontaggio a pressione
Numero di pin7Pin
Massima tensione Collettore-Emettitore650V
Tecnologia Transistore IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaggio Transistorea pannello
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The FF300R07KE4 is a 62mm C-series IGBT Module with Trench/field-stop IGBT4 and emitter controlled diode. It is suitable for high power converters and UPS system.
- Extended operating temperature
- High short-circuit capability, self limiting short-circuit current
- High creepage and clearance distances
- Isolated base plate
- Standard housing
- Flexibility
- Optimal electrical performance
- High reliability
- 2.5kVAC Insulation voltage (1 minute)
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
doppio
Corrente di Collettore CC
365A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
1.55V
Dissipazione di Potenza Pd
940W
Temperatura di esercizio max
150°C
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
650V
Terminazione IGBT
montaggio a pressione
Massima tensione Collettore-Emettitore
650V
Montaggio Transistore
a pannello
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Polarità Transistor
NPN Doppio
Corrente di Collettore continua
365A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.55V
Dissipazione di potenza
940W
Temperatura di Giunzione Tj Max
150°C
Stile di Case del Transistor
modulo
Numero di pin
7Pin
Tecnologia Transistore IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Hungary
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Hungary
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.25
Tracciabilità del prodotto