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DF17MR12W1M1HFB86BPSA1
MOSFET al carburo di silicio, booster, canale N, 50 A, 1.2 kV, 0.024 ohm, modulo
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreDF17MR12W1M1HFB86BPSA1
Codice Prodotto4694658
Gamma ProdottiEasyPACK Series
Anche noto comeDF17MR12W1M1HF_B86, SP006008193
Datasheet tecnico
16 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreDF17MR12W1M1HFB86BPSA1
Codice Prodotto4694658
Gamma ProdottiEasyPACK Series
Anche noto comeDF17MR12W1M1HF_B86, SP006008193
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETbooster
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id50A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.024ohm
Stile di Case del Transistormodulo
Numero di pin21Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima5.15V
Dissipazione di potenza-
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiEasyPACK Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
DF17MR12W1M1HFB86BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC. It is ideal for solar applications.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Low inductive design, high current density
- PressFIT contact technology, integrated NTC temperature sensor
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps
- Drain-source voltage is 1200V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 50A at TH = 80°C, Tvj = 175°C, VGS = 18V
- Repetitive peak drain current is 100A (verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Drain-source on-resistance is 16.2mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 50A
- Total gate charge is 0.149µC typ at VDD = 800V, VGS = -3/18V, Tvj = 25°C
- Storage temperature range from -40 to 125°C
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
booster
Corrente Continua di Drain Id
50A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.024ohm
Numero di pin
21Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5.15V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
modulo
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
-
Gamma di prodotti
EasyPACK Series
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto