CY7C199D-10VXIT

Il CY7C199D-10VXIT è una SRAM CMOS ad alte prestazioni organizzata in 32.768 word di 8 bit. L'espansione facile della memoria è possibile tramite la funzione di Chip Enable (CE attivo basso), Output Enable (OE attivo basso) e i driver 3-state. Questo dispositivo dispone di una funzione di power-down automatico, che riduce il consumo di energia del 99,9% quando è deselezionato. I pin di ingresso e uscita (da I/O 0 a I/O 7) entrano in stato di alta impedenza quando il dispositivo è deselezionato (CE HIGH), le uscite sono disabilitate (OE HIGH), o quando è in corso un'operazione di scrittura (CE LOW e WE LOW). L'operazione di scrittura del dispositivo si effettua portando gli ingressi di Chip Enable (CE) e Write Enable (WE) in LOW. L'operazione di lettura dal dispositivo si effettua portando Chip Enable (CE attivo basso) e Output Enable (OE attivo basso) in LOW e forzando Write Enable (WE attivo basso) in HIGH. Il CY7C199D è adatto per l'interfacciamento con i processori con livelli di ingresso TTL.

• Compatibile a livello di pin e funzionalità con CY7C199C
• Alta velocità, tAA=10ns
• Bassa corrente attiva (ICC): 80mA a 10ns
• ISB2 a bassa potenza in standby CMOS = 3mA
• Conservazione dati a 2,0V, tensione nominale: 5V ±0,5V
• Spegnimento automatico quando non selezionato
• CMOS complementare per velocità/potenza ottimale
• Ingressi e uscite compatibili con logica Transistor-Transistor (TTL)
• Package SOJ stampato a 28 pin
• Intervallo di temperatura ambiente industriale: da -40°C a +85°C