CY7C10612G30-10ZSXI

Il CY7C10612G30-10ZSXI è un dispositivo SRAM rapido CMOS ad alte prestazioni con ECC embedded. Include un pin di indicazione di errore che segnala un evento di rilevamento e correzione di errore durante un ciclo di lettura. L'operazione di scrittura del dispositivo si effettua portando gli ingressi di Chip Enable (CE attivo basso) e Write Enable (WE attivo basso) in LOW. L'operazione di lettura dal dispositivo si effettua portando Chip Enable (CE attivo basso) e Output Enable (OE attivo basso) in LOW e forzando Write Enable (WE attivo basso) in HIGH. I pin di ingresso o uscita (da I/O 0 a I/O 15) entrano in stato di alta impedenza quando il dispositivo è deselezionato (CE attivo basso HIGH), le uscite sono disabilitate (OE attivo basso HIGH), BHE e BLE sono disabilitati (BHE e BLE attivo basso HIGH) o quando è in corso un'operazione di scrittura (CE attivo basso LOW e WE attivo basso LOW).

• Error-correcting code (ECC) embedded per la correzione degli errori di singolo bit
• Bassa corrente attiva ICC: 90mA tipica
• Corrente in standby CMOS ISB2: 20mA tipica
• Tensione di esercizio: 3,3 +0,3V
• Conservazione dati 1,0V
• Ingressi e uscite compatibili con logica Transistor-Transistor (TTL)
• Pin ERR per indicare il rilevamento e la correzione degli errori di singolo bit
• Alta velocità, tAA=10ns
• Package TSOP II a 54 pin
• Intervallo di temperatura ambiente industriale: da -40°C a +85°C