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CY7C1049GN30-10ZSXIT
SRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8bit, 2,2V-3,6V, TSOP-II-44
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreCY7C1049GN30-10ZSXIT
Codice Prodotto4127889
Anche noto comeSP005638221, CY7C1049GN30-10ZSXIT
Datasheet tecnico
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| Quantità | |
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| 10+ | € 5,000 |
| 25+ | € 4,900 |
| 50+ | € 4,620 |
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| 250+ | € 4,390 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreCY7C1049GN30-10ZSXIT
Codice Prodotto4127889
Anche noto comeSP005638221, CY7C1049GN30-10ZSXIT
Datasheet tecnico
Tipo di SRAMSRAM asincrona
Dimensione Memoria4Mbit
Configurazione Memoria SRAM512Kword x 8 bit
Densità di Memoria4Mbit
Intervallo di tensione di alimentazioneda 2,2V a 3,6V
Configurazione di memoria512K parole x 8 bit
Modello Case Memoria CITSOP-II
Package/case del circuito integratoTSOP-II
Numero di pin44Pin
Tempo di Accesso10ns
Tensione di alimentazione min2.2V
Tensione di alimentazione max3.6V
Tensione di Alimentazione Nom-
Frequenza di Clock Max-
Montaggio CImontaggio superficiale
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max85°C
Gamma di prodotti-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
CY7C1049GN30-10ZSXIT is a CY7C1049GN high-performance CMOS fast static RAM device organized as 512K words by 8-bits. Data writes are performed by asserting the chip enable active-low (CE) and write enable (WE) inputs LOW, while providing the data on I/O0 through I/O7 and address on A0 through A18 pins. Data reads are performed by asserting the chip enable active-low (CE) and output enable (OE) inputs LOW and providing the required address on the address lines. Read data is accessible on the I/O lines (I/O0 through I/O7).
- High speed is tAA = 10ns
- Low active and standby currents
- Active current: ICC = 38mA typical
- 1.0V data retention
- TTL-compatible inputs and outputs
- 2.2V to 3.6V voltage range
- 44-pin TSOP II package
- Industrial temperature range from –40°C to +85°C
- 65nm process technology
Specifiche tecniche
Tipo di SRAM
SRAM asincrona
Configurazione Memoria SRAM
512Kword x 8 bit
Intervallo di tensione di alimentazione
da 2,2V a 3,6V
Modello Case Memoria CI
TSOP-II
Numero di pin
44Pin
Tensione di alimentazione min
2.2V
Tensione di Alimentazione Nom
-
Montaggio CI
montaggio superficiale
Temperatura di esercizio max
85°C
Standard di Qualifica Automotive
-
Dimensione Memoria
4Mbit
Densità di Memoria
4Mbit
Configurazione di memoria
512K parole x 8 bit
Package/case del circuito integrato
TSOP-II
Tempo di Accesso
10ns
Tensione di alimentazione max
3.6V
Frequenza di Clock Max
-
Temperatura di esercizio min
-40°C
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Tariffa n.:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:In attesa di conferma
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Tracciabilità del prodotto