CY7C1041GN30-10ZSXI

Il CY7C1041GN30-10ZSXI è un dispositivo SRAM CMOS ad alte prestazioni organizzato in 256K word di 16 bit. Le scritture dei dati si effettuano tramite l'asserzione degli ingressi Chip Enable e Write Enable in stato LOW e la fornitura dei dati sui pin da I/O0 a I/O15 e degli address sui pin da A0 ad A17. Gli ingressi di Byte High Enable e Byte Low Enable controllano le operazioni di scrittura del byte più alto e più basso dell'ubicazione di memoria specificata. Il BHE attivo basso controlla da I/O8 a I/O15, mentre BLE attivo basso controlla da I/O0 a I/O7. Le letture dei dati vengono effettuate tramite l'asserzione degli ingressi Chip Enable e Output Enable in stato LOW e la fornitura dell'address richiesto sulle linee di address. I dati di lettura sono accessibili sulle linee I/O (da I/O0 a I/O15). Gli accessi ai byte possono essere effettuati asserendo il segnale di Byte Enable richiesto (BHE o BLE attivo basso) per leggere il byte superiore o il byte inferiore dall'ubicazione dell'address specificato.

• Alta velocità, tAA = 10ns
• Basse correnti attive e in standby, corrente attiva: ICC = 38mA tipica, corrente di standby: ISB2 = 6mA tipica
• Intervallo di tensione: da 2,2V a 3,6V
• ICC di esercizio: 38mA tipica a f = fmax
• Conservazione dati 1V
• Ingressi e uscite compatibili con TTL
• Intervallo di temperatura: da -40 a 85°C
• Tecnologia di processo di 65nm
• Disponibile nel package TSOP-II a 44 pin

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