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Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
CY7C1041G30-10ZSXE is a high-performance CMOS fast static RAM automotive part with embedded ECC. This device has a single chip enable (active-low CE) input and is accessed by asserting it LOW. Data writes are performed by asserting the write enable (active-low WE) input LOW, while providing the data on I/O0 through I/O15 and the address on A0 through A17 pins. Data reads are performed by asserting the output enable (active-low OE) input and providing the required address on the address lines. All I/Os (I/O0 through I/O15) are placed in a HI-Z state when the device is deselected (active-low CE LOW), or when the control signals are deasserted (active-low OE, active-low BLE, active-low BHE).
- AEC-Q100 qualified
- High speed, tAA=10ns
- Embedded ECC for single-bit error correction
- Active current ICC=40mA typical
- Standby current ISB2=6mA typical
- Operating voltage range from 2.2V to 3.6V
- 1.0V data retention
- TTL- compatible inputs and outputs
- 44-pin TSOP II package
- Automotive-E temperature range from -40°C to +125°C
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
SRAM asincrona
256K parole x 16 bit
44Pin
3.6V
-
-40°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
4Mbit
TSOP-II
2.2V
-
montaggio superficiale
125°C
MSL 3 - 168 ore
Documenti tecnici (1)
Alternative per CY7C1041G30-10ZSXE
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto