CY7C1021DV33-10ZSXIT

Il CY7C1021DV33-10ZSXIT è una SRAM CMOS ad alte prestazioni organizzata in 65.536 word di 16 bit. Questo dispositivo ha una funzione di power-down automatico, che riduce in maniera significativa il consumo energetico quando non selezionato. L'operazione di scrittura del dispositivo si effettua portando gli ingressi di Chip Enable (CE) e Write Enable (WE) in LOW. L'operazione di lettura dal dispositivo si effettua portando Chip Enable (CE attivo basso) e Output Enable (OE attivo basso) in LOW e forzando Write Enable (WE attivo basso) in HIGH. I pin di ingresso/uscita (da I/O 0 a I/O 15) entrano in stato di alta impedenza quando il dispositivo è deselezionato (CE attivo basso HIGH), le uscite sono disabilitate (OE attivo basso HIGH), BHE e BLE sono disabilitati (BHE e BLE attivo basso HIGH) o quando è in corso un'operazione di scrittura (CE attivo basso LOW e WE attivo basso LOW).

• Compatibile a livello di pin e funzioni con CY7C1021CV33
• Alta velocità, tAA=10ns
• Corrente di alimentazione di esercizio VCC: 60mA max a 100MHz, VCC=Max, IOUT=0mA, f=fMAX=1/tRC
• Corrente di power-down CE automatico, ingressi CMOS: 3mA a VCC massima, CE>VCC-0,3V, VIN>VCC-0,3V/VIN<0,3V
• Conservazione dati a 2,0V
• Power-down automatico quando non selezionato, controllo indipendente dei bit superiori e inferiori
• CMOS per velocità e potenza ottimale
• Vcc: 3,3V ±0,3V
• Package TSOP Tipo II a 44 pin
• Intervallo di temperatura ambiente industriale: da -40°C a +85°C