CY7C1021D-10VXIT

Il CY7C1021D-10VXIT è una SRAM CMOS ad alte prestazioni organizzata in 65.536 word di 16 bit. Questo dispositivo ha una funzione di power-down automatico, che riduce in maniera significativa il consumo energetico quando il dispositivo non selezionato. I pin di ingresso e uscita (da I/O 0 a I/O 15) entrano in stato di alta impedenza quando il dispositivo è deselezionato (CE attivo basso HIGH), le uscite sono disabilitate (OE attivo basso HIGH), BHE e BLE sono disabilitati (BHE e BLE attivo basso HIGH) o quando è in corso un'operazione di scrittura (CE attivo basso LOW e WE attivo basso LOW). L'operazione di scrittura del dispositivo si effettua portando gli ingressi di Chip Enable (CE) e Write Enable (WE) in LOW. L'operazione di lettura dal dispositivo si effettua portando Chip Enable (CE attivo basso) e Output Enable (OE attivo basso) in LOW e forzando Write Enable (WE attivo basso) in HIGH. Il dispositivo è adatto per l'interfacciamento con i processori con livelli di ingresso TTL.

• Compatibile a livello di pin e funzionalità con CY7C1021B
• Alta velocità, tAA=10ns
• Corrente di alimentazione di esercizio VCC: 80mA max a 100MHz, VCC=Max, IOUT=0mA, f=fMAX=1/tRC
• Corrente di power-down CE automatico, ingressi CMOS: 3mA a VCC massima, CE>VCC-0,3V, VIN>VCC-0,3V/VIN<0,3V
• Conservazione dati a 2,0V
• Power-down automatico quando non selezionato, controllo indipendente dei bit superiori e inferiori
• CMOS per velocità e potenza ottimale
• Vcc: 5V ±10%
• Package SOJ stampato a 44 pin (400 Mil)
• Intervallo di temperatura ambiente industriale: da -40°C a +85°C