CY62157EV30LL-45BVXIT

Il CY62157EV30LL-45BVXIT è una SRAM CMOS ad alte prestazioni organizzata in forma di 512K word di 16 bit. Questo dispositivo è caratterizzato da un design avanzato del circuito, che permette una corrente attiva ultra ridotta. È ideale per fornire More Battery Life™ (MoBL®) nelle applicazioni portatili come i telefoni cellulari. Il dispositivo possiede anche una funzione di spegnimento automatico che riduce in maniera significativa il consumo di energia quando gli indirizzi non sono in toggling. Quando il chip non è selezionato (CE1 attivo basso HIGH o CE2 attivo basso LOW, o sia BHE attivo basso che BLE attivo basso HIGH), il dispositivo si mette in standby. I pin di ingresso o uscita (da I/O 0 a I/O 15) entrano in stato di alta impedenza quando: il chip non è selezionato (CE1 attivo basso HIGH o CE2 attivo basso LOW), le uscite sono disabilitate (OE attivo basso HIGH), Byte High Enable e Byte Low Enable sono disabilitati (BHE e BLE attivi bassi HIGH), o durante un'operazione di scrittura (CE1 attivo basso LOW, CE2 attivo basso HIGH e WE attivo basso LOW).

• Alta velocità: 45ns
• Compatibilità a livello pin con CY62157DV30
• Corrente di standby massima: 8µA (industriale)
• Corrente attiva tipica: 6mA a f=1MHz
• Espansione facile della memoria con le funzioni CE1, CE2 e OE
• Spegnimento automatico quando non selezionato
• CMOS per potenza e velocità ottimali
• Ampio intervallo di tensione: 2,20V-3,60V
• Package VFBGA a 48 sfere
• Intervallo di temperatura ambiente industriale: da -40°C a +85°C