CY15B104QN-50SXI

Il CY15B104QN-50SXI è una FeRAM EXCELON™ LP da 4Mb. Si tratta di una memoria non volatile a bassa potenza da 4 Mb che utilizza un materiale ferroelettrico avanzato. Una memoria RAM ferroelettrica o FeRAM è non volatile ed effettua letture e scritture in modo simile a una RAM. Offre una memorizzazione dati di 151 anni ed elimina le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati dalle flash seriali, EEPROM e da altre memorie non volatili. È in grado di supportare 10^15 cicli di lettura/scrittura o una quantità di cicli di scrittura di 1000 milioni di volte superiore rispetto alla EEPROM.. È ideale per le applicazioni con memoria non volatile che richiedono scritture rapide o frequenti. Alcuni esempi possono essere la raccolta dei dati, dove il numero di cicli di scrittura può essere essenziale, o i controlli industriali complessi, dove i lunghi tempi di scrittura della EEPROM possono causare perdite di dati.

• Memoria FeRAM a 4Mb logicamente organizzata in 512K × 8
• Materiale ferroelettrico avanzato di alta affidabilità
• Interfaccia SPI rapida, frequenza fino a 50MHz
• Supporta SPI modalità SPI 0 (0, 0) e modalità 3 (1, 1)
• Schema sofisticato di protezione della scrittura, protezione di blocco software per 1/4, 1/2 o l'intero array
• Protezione hardware con il pin Write Protect (WP attivo basso)
• Protezione software con istruzione Write Disable (WRDI)
• L'ID del dispositivo contiene l'ID del produttore e l'ID del prodotto, l'ID unico e il numero seriale
• Package SOIC (EIAJ) a 8 pin
• Temperatura di esercizio industriale: da -40°C a +85°C

Avvertenze

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