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BSZ123N08NS3GATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 80 V, 40 A, 0.0123 ohm, PG-TSDSON, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSZ123N08NS3GATMA1
Codice Prodotto1775505RL
Anche noto comeBSZ123N08NS3 G, SP000443632
Datasheet tecnico
17 876 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSZ123N08NS3GATMA1
Codice Prodotto1775505RL
Anche noto comeBSZ123N08NS3 G, SP000443632
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds80V
Corrente Continua di Drain Id40A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0123ohm
Stile di Case del TransistorPG-TSDSON
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.8V
Dissipazione di potenza66W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The BSZ123N08NS3 G is a 80V N-channel Power MOSFET that offers highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). The OptiMOS™ MOSFET offers industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.
- Dual sided cooling
- Low parasitic inductance
- Low profile (<lt/>0.7mm)
- Reduced switching and conduction losses
- Superior thermal resistance
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
40A
Stile di Case del Transistor
PG-TSDSON
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
66W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
80V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0123ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.8V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00014