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BSS670S2LH6433XTMA1
MOSFET di potenza, canale N, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSS670S2LH6433XTMA1
Codice Prodotto3958699RL
Gamma Prodottiserie OptiMOS
Anche noto comeSP001341854, BSS670S2L H6433
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSS670S2LH6433XTMA1
Codice Prodotto3958699RL
Gamma Prodottiserie OptiMOS
Anche noto comeSP001341854, BSS670S2L H6433
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Tensione Drain Source Vds55V
Corrente Continua di Drain Id540mA
Resistenza Drain-Source in conduzione0.346ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.346ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.6V
Dissipazione di potenza360mW
Dissipazione di Potenza Pd360mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiserie OptiMOS
QualificazioniAEC-Q101
Standard di Qualifica AutomotiveAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
55V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.346ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
360mW
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
serie OptiMOS
Standard di Qualifica Automotive
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
540mA
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.346ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.6V
Dissipazione di Potenza Pd
360mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000054
Tracciabilità del prodotto