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BSM10GD120DN2BOSA1
Modulo IGBT, ponte intero trifase, 15 A, 3.2 V, 80 W, 125 °C, EconoPACK
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSM10GD120DN2BOSA1
Codice Prodotto1496947
Gamma ProdottiCompute Module 3+ Series
Anche noto comeBSM10GD120DN2, SP000100367
Datasheet tecnico
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSM10GD120DN2BOSA1
Codice Prodotto1496947
Gamma ProdottiCompute Module 3+ Series
Anche noto comeBSM10GD120DN2, SP000100367
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTponte intero trifase
Polarità TransistorCanale N
Corrente di Collettore continua15A
Corrente di Collettore CC15A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)3.2V
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore3.2V
Dissipazione di potenza80W
Dissipazione di Potenza Pd80W
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo1.2kV
Temperatura di Giunzione Tj Max125°C
Temperatura di esercizio max125°C
Stile di Case del TransistorEconoPACK
Numero di pin17Pin
Terminazione IGBTmontaggio a pressione
Massima tensione Collettore-Emettitore1.2kV
Tecnologia Transistore IGBT-
Montaggio Transistorea pannello
Gamma di prodottiCompute Module 3+ Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Panoramica del prodotto
The BSM10GD120DN2 is a 1200V IGBT Power Module with 3-phase full-bridge and fast free-wheel diodes.
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
ponte intero trifase
Corrente di Collettore continua
15A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
3.2V
Dissipazione di potenza
80W
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
1.2kV
Temperatura di esercizio max
125°C
Numero di pin
17Pin
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.2kV
Montaggio Transistore
a pannello
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Polarità Transistor
Canale N
Corrente di Collettore CC
15A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
3.2V
Dissipazione di Potenza Pd
80W
Temperatura di Giunzione Tj Max
125°C
Stile di Case del Transistor
EconoPACK
Terminazione IGBT
montaggio a pressione
Tecnologia Transistore IGBT
-
Gamma di prodotti
Compute Module 3+ Series
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.18
Tracciabilità del prodotto