Stampa pagina
BSC500N20NS3GATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSC500N20NS3GATMA1
Codice Prodotto2725817
Gamma ProdottiOptiMOS 3 Series
Anche noto comeBSC500N20NS3 G, SP000998292
Datasheet tecnico
1 898 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 2,020 |
| 10+ | € 1,400 |
| 100+ | € 1,020 |
| 500+ | € 0,828 |
| 1000+ | € 0,779 |
| 5000+ | € 0,703 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 1
Più: 1
€ 2,02 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSC500N20NS3GATMA1
Codice Prodotto2725817
Gamma ProdottiOptiMOS 3 Series
Anche noto comeBSC500N20NS3 G, SP000998292
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds200V
Corrente Continua di Drain Id24A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.05ohm
Stile di Case del TransistorTDSON
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza96W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiOptiMOS 3 Series
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
BSC500N20NS3GATMA1 is a N-channel OptiMOS 3 power-transistor. Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
- Continuous drain current is 24A
- Gate source voltage is ±20V
- Power dissipation is 96W
- Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance R DS(on) is 42mohm
- Qualified according to JEDEC1 for target application
- Operating and storage temperature range from -55 to 150°C
- Available in 8 pin TDSON package
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
24A
Stile di Case del Transistor
TDSON
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
96W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
200V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.05ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
OptiMOS 3 Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000149
Tracciabilità del prodotto