BSC123N10LSGATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 71 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,260 |
| 10+ | € 0,909 |
| 100+ | € 0,680 |
| 500+ | € 0,578 |
| 1000+ | € 0,544 |
| 5000+ | € 0,533 |
Informazioni sui prodotti
Alternative per BSC123N10LSGATMA1
2 prodotti trovati
Panoramica del prodotto
BSC123N10LS è un MOSFET di potenza a canale N da 100V che offre soluzioni superiori per SMPS ad alta densità di potenza e alta efficienza. Rispetto ad altri transitori, infatti, raggiunge fino al 30% in meno in termini di RDS (on) e FOM (Cifra di merito). Il MOSFET OptiMOS™ offre l’RDS (on) più basso del settore all’interno delle classi di tensione. È pensato idealmente per le applicazioni di commutazione ad alta frequenza e per le tecnologie ottimizzate dei convertitori DC-DC.
- Performance di commutazione eccellenti
- Rispettoso dell’ambiente
- Efficienza aumentata
- Altissima densità di potenza
- Richiede meno messa in parallelo
- Consumo di spazio su scheda ridottissimo
- Facile da progettare
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
canale N
71A
PG-TDSON
10V
114W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
100V
0.0123ohm
montaggio superficiale (SMT)
1.85V
8Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto