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BSC120N03MSGATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSC120N03MSGATMA1
Codice Prodotto1775468
Anche noto comeBSC120N03MS G, SP000311516
Datasheet tecnico
14 243 A Stock
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| Quantità | |
|---|---|
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| 10+ | € 0,285 |
| 100+ | € 0,215 |
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| 1000+ | € 0,155 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSC120N03MSGATMA1
Codice Prodotto1775468
Anche noto comeBSC120N03MS G, SP000311516
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id39A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.012ohm
Stile di Case del TransistorPG-TDSON
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1V
Dissipazione di potenza28W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternative per BSC120N03MSGATMA1
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Panoramica del prodotto
The BSC120N03MS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. It is available in half-bridge configuration.
- Easy to design in
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Fast switching MOSFET for SMPS
- Optimized for 5V driver application
- Low FOMSW for high frequency SMPS
- 100% Avalanche tested
- Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Superior thermal resistance
- Halogen-free, Green device
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
39A
Stile di Case del Transistor
PG-TDSON
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
28W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.012ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000605