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BSC093N04LSGATMA1

Name: MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 49 A, 0.0078 ohm, PG-TDSON, montaggio superficiale (SMT)
Brand: INFINEON
SKU: 1775460
Availability: InStock

MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 49 A, 0.0078 ohm, PG-TDSON, montaggio superficiale (SMT)

Date/Lot Code

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ProduttoreINFINEON

Cod. produttoreBSC093N04LSGATMA1

Codice Prodotto1775460

Gamma ProdottiOptiMOS 3 Series

Anche noto comeBSC093N04LS G, SP000387929

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Informazioni sui prodotti

ProduttoreINFINEON

Cod. produttoreBSC093N04LSGATMA1

Codice Prodotto1775460

Gamma ProdottiOptiMOS 3 Series

Anche noto comeBSC093N04LS G, SP000387929

Datasheet tecnico

Data Sheet

Tipo di canalecanale N

Tensione Drain Source Vds40V

Corrente Continua di Drain Id49A

Resistenza Drain-Source in conduzione0.0078ohm

Stile di Case del TransistorPG-TDSON

Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)

Tensione di test di Rds(on)10V

Tensione di soglia Gate-Source massima1.2V

Dissipazione di potenza35W

Numero di pin8Pin

Temperatura di esercizio max150°C

Gamma di prodottiOptiMOS 3 Series

Qualificazioni-

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Panoramica del prodotto

BSC093N04LS G è un MOSFET di potenza a canale N da 60V ottimizzato per il raddrizzamento sincrono negli alimentatori SMPS come quelli che si trovano nei server, nei desktop e nei caricatori dei tablet. La carica di output e di gate estremamente ridotta permettono un'alta efficienza di sistema e densità di potenza. Il MOSFET di potenza OptiMOS™ è pensato appositamente per i convertitori DC-DC e la commutazione ad alta frequenza.

Altissima efficienza di sistema
Richiede meno messa in parallelo
Maggiore densità di potenza
Salva spazio
Overshoot di tensione molto basso
Resistenza termica superiore

Avvertenze

La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.

Specifiche tecniche

Tipo di canale

canale N

Corrente Continua di Drain Id

49A

Stile di Case del Transistor

PG-TDSON

Tensione di test di Rds(on)

10V

Dissipazione di potenza

35W

Temperatura di esercizio max

150°C

Qualificazioni

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)

No SVHC (21-Jan-2025)

Tensione Drain Source Vds

40V

Resistenza Drain-Source in conduzione

0.0078ohm

Montaggio Transistore

montaggio superficiale (SMT)

Tensione di soglia Gate-Source massima

1.2V

Numero di pin

8Pin

Gamma di prodotti

OptiMOS 3 Series

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

Documenti tecnici (1)

Technical Data Sheet EN

Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo

Tariffa n.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme alla direttiva RoHS:Sì

RoHS

Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì

RoHS

Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Scarica il certificato di conformità del prodotto

Certificato di conformità del prodotto

Peso (kg):.000363

Tracciabilità del prodotto