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BSC050NE2LSATMA1

Name: INFINEON BSC050NE2LSATMA1
Brand: INFINEON
SKU: 2443420RL
Availability: InStock

MOSFET di potenza, canale N, 25 V, 58 A, 0.005 ohm, TDSON, montaggio superficiale (SMT)

Date/Lot Code

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ProduttoreINFINEON

Cod. produttoreBSC050NE2LSATMA1

Codice Prodotto2443420RL

Anche noto comeBSC050NE2LS, SP000756340

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Informazioni sui prodotti

ProduttoreINFINEON

Cod. produttoreBSC050NE2LSATMA1

Codice Prodotto2443420RL

Anche noto comeBSC050NE2LS, SP000756340

Datasheet tecnico

Data Sheet

Tipo di canalecanale N

Tensione Drain Source Vds25V

Corrente Continua di Drain Id58A

Resistenza Drain-Source in conduzione0.005ohm

Stile di Case del TransistorTDSON

Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)

Tensione di test di Rds(on)10V

Tensione di soglia Gate-Source massima2V

Dissipazione di potenza28W

Numero di pin8Pin

Temperatura di esercizio max150°C

Gamma di prodotti-

Qualificazioni-

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Panoramica del prodotto

The BSC050NE2LS is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator applications. It is available in half-bridge configuration. It minimizes EMI in the system making external snubber networks obsolete and the products easy to design-in.

Reduces the number of phases in multiphase converters
Reduce power losses and increase efficiency for all load conditions
Save space with smallest packages like CanPAK™
Optimized for high performance buck converter
Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
100% Avalanche tested
Superior thermal resistance
Qualified according to JEDEC for target applications
Halogen-free, Green device

Avvertenze

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Specifiche tecniche

Tipo di canale

canale N

Corrente Continua di Drain Id

58A

Stile di Case del Transistor

TDSON

Tensione di test di Rds(on)

10V

Dissipazione di potenza

28W

Temperatura di esercizio max

150°C

Qualificazioni

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)

No SVHC (21-Jan-2025)

Tensione Drain Source Vds

25V

Resistenza Drain-Source in conduzione

0.005ohm

Montaggio Transistore

montaggio superficiale (SMT)

Tensione di soglia Gate-Source massima

Numero di pin

8Pin

Gamma di prodotti

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

MSL 1 - Non Limitata

Documenti tecnici (1)

Technical Data Sheet EN

Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo

Tariffa n.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme alla direttiva RoHS:Sì

RoHS

Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì

RoHS

Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Scarica il certificato di conformità del prodotto

Certificato di conformità del prodotto

Peso (kg):.000159

Tracciabilità del prodotto