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BSC036NE7NS3GATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 75 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSC036NE7NS3GATMA1
Codice Prodotto4318953
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds75V
Corrente Continua di Drain Id100A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0029ohm
Stile di Case del TransistorTDSON
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.1V
Dissipazione di potenza156W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
100A
Stile di Case del Transistor
TDSON
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
156W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
75V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0029ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.1V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000184
Tracciabilità del prodotto