Stampa pagina

BSC028N06LS3GATMA1

Name: INFINEON BSC028N06LS3GATMA1
Brand: INFINEON
SKU: 2432703
Availability: InStock

MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, montaggio superficiale (SMT)

Date/Lot Code

L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.

ProduttoreINFINEON

Cod. produttoreBSC028N06LS3GATMA1

Codice Prodotto2432703

Anche noto comeBSC028N06LS3 G, SP000453652

Datasheet tecnico

Data Sheet

Visualizza tutti i documenti tecnici

Opzioni di imballaggio

Nastro pretagliato

Re-reeling

Full Reel

16 421 A Stock

Ti serve altro?

Consegna in 1-2 giorni lavorativi

Ordina prima delle 17:00 spedizione standard

Quantità
1+	€ 1,940
10+	€ 1,390
100+	€ 1,180
500+	€ 1,100
1000+	€ 1,050

Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato

Minimo: 1

Più: 1

€ 1,94 (IVA esc)

Aggiungi codice prodotto /nota

Nota prodotto

Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.

Codice prodotto

Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.

Informazioni sui prodotti

ProduttoreINFINEON

Cod. produttoreBSC028N06LS3GATMA1

Codice Prodotto2432703

Anche noto comeBSC028N06LS3 G, SP000453652

Datasheet tecnico

Data Sheet

Tipo di canalecanale N

Tensione Drain Source Vds60V

Corrente Continua di Drain Id100A

Resistenza Drain-Source in conduzione0.0028ohm

Stile di Case del TransistorTDSON

Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)

Tensione di test di Rds(on)10V

Tensione di soglia Gate-Source massima1.7V

Dissipazione di potenza139W

Numero di pin8Pin

Temperatura di esercizio max150°C

Gamma di prodotti-

Qualificazioni-

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Panoramica del prodotto

The BSC028N06LS3 G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. The MOSFET features 40% lower RDS (on) than alternative devices. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.

Highest system efficiency
Less paralleling required
Increased power density
Saving space
Very low voltage overshoot
Superior thermal resistance

Avvertenze

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Specifiche tecniche

Tipo di canale

canale N

Corrente Continua di Drain Id

100A

Stile di Case del Transistor

TDSON

Tensione di test di Rds(on)

10V

Dissipazione di potenza

139W

Temperatura di esercizio max

150°C

Qualificazioni

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)

No SVHC (21-Jan-2025)

Tensione Drain Source Vds

60V

Resistenza Drain-Source in conduzione

0.0028ohm

Montaggio Transistore

montaggio superficiale (SMT)

Tensione di soglia Gate-Source massima

1.7V

Numero di pin

8Pin

Gamma di prodotti

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

MSL 1 - Non Limitata

Documenti tecnici (3)

Simulation Model EN

Technical Data Sheet EN

Application Note EN

Alternative per BSC028N06LS3GATMA1

8 prodotti trovati

Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo

Tariffa n.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme alla direttiva RoHS:Sì

RoHS

Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì

RoHS

Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Scarica il certificato di conformità del prodotto

Certificato di conformità del prodotto

Peso (kg):.000149

Tracciabilità del prodotto