BSC011N03LSIATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,790 |
| 10+ | € 0,981 |
| 100+ | € 0,695 |
| 500+ | € 0,530 |
| 1000+ | € 0,509 |
| 5000+ | € 0,435 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
The BSC011N03LSI is a N-channel Power MOSFET features ultra low gate and output charge. With the new OptiMOS™ 30V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions. It is tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behaviour, as well as increased battery life.
- Lowest ON-state resistance in small footprint packages
- Easy to design in
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Reducing power losses
- Optimized for high performance SMPS
- Integrated monolithic Schottky-like diode
- Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
canale N
100A
TDSON
10V
96W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
30V
1100µohm
montaggio superficiale (SMT)
2V
8Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per BSC011N03LSIATMA1
7 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto