BSC010N04LSATMA1

BSC010N04LS è un MOSFET di potenza a canale N da 40V ottimizzato per il raddrizzamento sincrono. Questo MOSFET presenta non solo l'RDS (on) più bassa del settore, ma anche un comportamento di commutazione perfetto per applicazioni con interruttori rapidi. L'RDS (on) inferiore del 15% e la cifra di merito inferiore del 31% (RDS (on) x Qg) rispetto ai dispositivi alternativi sono state ottenute grazie alla tecnologia avanzata del wafer sottile. La carica di uscita e di gate estremamente ridotta permettono un'alta efficienza di sistema e densità di potenza. Il MOSFET di potenza OptiMOS™ è pensato appositamente per i convertitori DC-DC e la commutazione ad alta frequenza.

• Altissima efficienza di sistema
• Richiede meno messa in parallelo
• Maggiore densità di potenza
• Salva spazio
• Overshoot di tensione molto basso
• Resistenza termica superiore

Avvertenze

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