BSC009NE2LSATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,890 |
| 500+ | € 0,684 |
| 1000+ | € 0,601 |
| 5000+ | € 0,500 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
The BSC009NE2LS is a N-channel Power MOSFET features high DC and pulsed current capability. With the new OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency. Lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of battery management, O-ring, e-fuse and HOT-SWAP application. The package has a standard footprint that allows thinner and smaller application solutions compared to the IPB009N03LS.
- Lowest ON-state resistance
- High DC and pulsed current capability
- Easy to design-in
- Increased battery lifetime/system efficiency
- Saving space (reducing the number of devices needed)
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
canale N
100A
TDSON
10V
96W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
25V
900µohm
montaggio superficiale (SMT)
2.2V
8Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (3)
Alternative per BSC009NE2LSATMA1
8 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto