Stampa pagina
BSB028N06NN3GXUMA1
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSB028N06NN3GXUMA1
Codice Prodotto2443367RL
Gamma ProdottiOptiMOS 3 Series
Anche noto comeBSB028N06NN3 G, SP000605956
Datasheet tecnico
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSB028N06NN3GXUMA1
Codice Prodotto2443367RL
Gamma ProdottiOptiMOS 3 Series
Anche noto comeBSB028N06NN3 G, SP000605956
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id90A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0028ohm
Stile di Case del TransistorWDSON
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza78W
Numero di pin2Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiOptiMOS 3 Series
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Panoramica del prodotto
The BSB028N06NN3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Ideal for fast switching applications
- Halogen-free, Green device
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
- Dual sided cooling
- Low parasitic inductance
- Normal level
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Compatible with DirectFET® package MN foot-print and outline
- MSL1 rated
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
90A
Stile di Case del Transistor
WDSON
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
78W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0028ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
2Pin
Gamma di prodotti
OptiMOS 3 Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (4)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0003
Tracciabilità del prodotto