BGS12P2L6E6327XTSA1

Il BGS12P2L6E6327XTSA1 è un power switch RF MOS SPDT per scopi generici, pensato per coprire un'ampia gamma di applicazioni ad alta potenza da 0,05 a 6GHz, principalmente nel canale di trasmissione dei telefoni cellulari LTE, GSM e WCDMA. Il chip integra la logica CMOS on-chip pilotata da un semplice segnale di ingresso di controllo compatibile con TTL o CMOS a singolo pin. A differenza della tecnologia al GaAs, i condensatori di blocco DC esterni sulle porte RF sono richiesti solo in presenza di applicazione esterna della tensione DC. Lo switch RF BGS12P2L6 è realizzato con la tecnologia MOS brevettata di Infineon, che offre le prestazioni del GaAs unite all'economia e all'integrazione del CMOS convenzionale, compresa la resistenza inerente più alta alle scariche ESD.

• Qualificato per le applicazioni industriali secondo i test di JEDEC47/20/22 pertinenti
• Basso consumo di corrente, logica di controllo on-chip, isolamento elevato da porta a porta
• Commutatore d'antenna SPDT CMOS RF con capacità di gestione della potenza fino a 37dBm (a VSWR 1:1/50 ohm)
• Basse perdita di inserzione e generazione di armoniche
• Non richiede condensatori di blocco in assenza di DC applicata alle linee RF
• Non richiede disaccoppiamento dell'alimentazione, alta resistenza alle EMI
• Tensione di alimentazione: 1,65-3,4V a TA=-40°C a +85°C
• Corrente di alimentazione: 65µA tipica in stato operativo, TA = -40°C a +85°C, Vdd = 1,65V-3,4V
• Package di plastica senza piedini TSLP-6-4 a profilo ultra basso
• Temperatura ambiente: da -40 a 85°C

Avvertenze

Sollecitazioni superiori ai valori massimi qui elencati potrebbero causare danni permanenti al dispositivo.