BGA5H1BN6E6327XTSA1

Il BGA5H1BN6E6327XTSA1 è un amplificatore a basso rumore con guadagno elevato per LTE a banda alta. Il data rate di LTE può migliorare significativamente tramite l'uso di un amplificatore a basso rumore. Il dispositivo presenta un controllo single-line a due stati (modalità Bypass e High Gain). Lo stato OFF può essere abilitato riducendo la VCC. La funzione di bypass integrata aumenta l'intervallo dinamico del sistema complessivo e porta maggiore flessibilità nel front end RF. In modalità High Gain, l'LNA offre la cifra di rumore migliore per garantire data rate elevati anche sul cell-edge dell'LTE. Più vicino alla base station, si può attivare la modalità di bypass per ridurre il consumo di corrente.

• Qualificato per le applicazioni industriali secondo i test di JEDEC47/20/22 pertinenti
• Uscita RF matchata internamente a 50 ohm
• Basso numero di componenti esterni
• Tecnologia al silicio germanio B9HF
• Tensione di alimentazione: 1,5-3,6V a TA=25°C, VCC=1,8V, VC, BP=1,8V, VC, OFF=0V, f=2300-2690MHz
• Guadagno di inserzione: 18,1dB tipico in modalità High Gain, f=2500MHz, VCC=1,8V
• Intervallo di frequenza di esercizio: da 2300 a 2690MHz
• Corrente di alimentazione tipica: 8,5mA (modalità High Gain, TA=25°C, VCC=1,8V, VC,BP=1,8V, VC,OFF=0V, f=2300-2690MHz)
• Package TSNP-6-10 ultra piccolo senza piedini
• Temperatura ambiente: da -40 a 85°C

Avvertenze

Sollecitazioni superiori ai valori massimi qui elencati potrebbero causare danni permanenti al dispositivo.